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SK海力士发力1c DRAM 良率已升至80% 年底将有19万片产能

cnBeta.COM.TW RSS订阅ugmbbc16天前
SK海力士正加快提升其10纳米第六代（1c）DRAM的竞争力，用于该工艺的极紫外（EUV）设备投资较原计划增加了约三倍。业内人士透露，SK海力士正集中精力推进1c DRAM技术的发展，以应用于第七代高带宽内存（HBM）HBM4E的核心芯片，并计划于今年交付样品。 阅读全文
原文来源：https://www.cnbeta.com.tw/articles/tech/1557220.htm