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三星晶圆代工4nm芯片良率突破80% 有望正面迎击台积电
三星晶圆代工4nm芯片良率突破80% 有望正面迎击台积电
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2小时前
来自韩国的新报道称,三星晶圆代工(Samsung Foundry)在其4nm FinFET制程量产上取得关键进展,良品率已经突破80%,这意味着该制程正式进入工艺成熟阶段。这一节点被视为三星在先进制程领域追赶竞争对手台积电的重要里程碑。 阅读全文
原文来源:
https://www.cnbeta.com.tw/articles/tech/1560622.htm
三星晶圆代工4nm芯片良率突破80% 有望正面迎击台积电 | yuanjiao.net